H3C UniStor CF5000 系列混合闪存存储——H3C UniStor CF5000系列通过革命性的“随机写入顺序化架构”以及“SSD缓存加速优化算法”，突破传统机械硬盘的性能瓶颈，加上硬盘每比特超高的存储效率，可以达到性能与性价比的完美兼容。

核心规格

产品特性

• 快 ---- CASL底层架构优化，极速提升读写IO
• CF5000系列存储最重要的创新是革命性的“随机写入顺序化架构”以及“SSD缓存加速优化算法”，统称为CASL（Cache Accelerate Sequential Layout）。通过CASL，可以将数据写入完全顺序化、数据读取SSD Cache 100%命中，达成了性能和容量的兼得，遥遥领先于传统的存储解决方案。它的主要构成是：
• 写入快： 通过NVDIMM对写入时不同大小的数据块进行整理和聚合，再将它们以整条带（全闪10MB/混闪18MB）方式顺序写入后端存储介质，变随机写为100%顺序写，极速提升随机写入效率。
• 读取快： 混合闪存阵列使用SSD Cache缓存区，全闪存阵列可选择适用Storage Class Memory（SCM）作为缓存区，加速数据读取。CF5000系列存储采用智能热度表技术，提高读命中率，从而大幅加速访问性能、降低时延。针对读性能要求极高的卷，可以选择在写入时将数据直接同步100%写入SSD Cache，实现该卷100%的SSD Cache读命中率。
• 通过CASL，CF5000系列存储单主机在重删压缩开启的情况下，可提供高达39万IOPS@0.1ms的随机读写性能，可支持数千虚拟桌面VDI高速运行，数万MS Exchange邮箱的日常访问操作，全闪和混闪的访问时延分别可控制在0.1和0.5毫秒。并可支持8控制器集群模式扩展模式，通过将4台CF5000阵列形成一个统一的Pool，存储IO会平均分配到阵列中每一台阵列，池中单个卷的性能提升4倍，系统性能线性可增长至高达156万IOPS。

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